一、产品简介

MNG型动态无功补偿及谐波治理成套装置，并联连接于额定电压为6kV、10kV、27.5kV、35kV、110kV等交流电力系统中，用于改善系统的功率因数、调整电网电压、降低线路损耗，提高电网的利用率。该装置是静止式动态无功补偿（SVC）的一种，可以提供正负连续可调的无功功率，采用专利技术生产的磁控式可调电抗器的方式，从而可以更精密地控制系统电压和无功，是现有无功补偿装置升级换代产品。由于没有或者极少有电容投切带来的冲击和涌流，可以大大提高装置的可靠性和寿命。可以对三相分别补偿，尤其适应于三相功率不平衡的情况。

干式磁控并联电抗器是我公司自主研发出具有国际先进水平的MCR型磁控并联电抗器，磁控并联电抗器可根据路线传输功率自动连续平滑调节自身容量。主要用于电力网中限制工频过电压、抑制潜供电流、消除发电机自励磁以及无功功率补偿。可广泛用于电力系统、电气化铁路、冶金行业、煤炭行业、风力发电等领域。

二、产品型号

三、成套装置组成

MNG型动态无功补偿及谐波治理成套装置主要由开关柜、串联电抗器、电容器、磁控电抗器、放电线圈、氧化锌避雷器、隔离开关、控制屏等组成。开关柜及继电保护屏由用户自行解决或协商解决。并联电容器可以是集合式的，也可以为框架式结构，电容器向系统输送容性电流，起到无功补偿的作用。

串联电抗器串联连接在电容器回路中，主要起限制合闸涌流和优化抑制谐波之用。只用来抑制合闸涌流者，应选用每相额定感抗XL为(0.1-1)%XC。（XC为电容器组每相的额定容抗）的电抗器；用来抑制5次及以上谐波者，应选用XL为(4.5-6)%XC的电容器；用来抑制3次以上谐波者，应选用XL为(12-13)%XC的电容器。

放电线圈（或电压互感器）并联连接在电容器回路中，当断开电源后，能使电容器上的剩余电压在5s内从√2Un降到50V以下。

氧化锌避雷器接成Y型接入线路，其中性点接地，以限制投切电容器组时所引起的操作过电压。隔离开关既可以接成线路隔离又可以接成对地隔离，也可以两者兼有。

四、一次原理图

图1 一次原理图

五．磁控电抗器工作原理

磁控电抗器是利用直流助磁的原理，即利用附加直流励磁，磁化电抗器铁芯，通过调节磁控电抗器铁芯的磁饱和程度，改变铁芯的磁导率，实现电抗值的连续可调。在铁芯上设置由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，在并联磁路中按比例设定不饱和区域与饱和区域铁芯面积或设定不饱和区域铁心与饱和区域铁芯各自磁阻，通过调节可控硅触发导通角来控制附加直流励磁电流对铁芯的励磁磁化，使饱和区域铁芯的漏磁通由主磁通方向被前后相邻或左右相邻的不饱和区域铁芯吸收而形成自屏蔽，通过对铁芯的励磁磁化改变并联磁路中不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯的磁饱和程度实现电抗值的连续、快速可调。可控电抗器原理接线图如图2所示。

图2 磁控电抗器的原理接线图

在可控电抗器的工作铁芯柱上分别对称的绕有匝数为N/2的两个线圈，其上有抽头比为 N2/N的抽头，它们之间接有可控硅Tl、T2，不同铁芯的上下两个主绕组交叉连接后并联至电源，续流二极管接在两个线圈的中间。

当磁控电抗器主绕组接至电源电压时，在可控硅两端感应出1％左右的系统电压。在电源电压正半周触发导通可控硅T1，形成下图（a）所示的等效电路，在回路中产生直流控制电流；在电源电压负半周触发导通可控硅T22，形成图(b)所示的等效电路，在回路中产生直流控制电流。两个可控硅在一个工频周期轮流触发导通，产生直流控制电流，使电抗器工作铁芯饱和，输出电流增加。磁控电抗器输出电流大小取决于可控硅控制角，控制角越小，产生的控制电流越强，从而电抗器工作铁芯磁饱和度越高，输出电流越大。因此，改变可控硅控制角，可平滑调节电抗器容量。而且由上分析可知，磁控电抗器具有自藕励磁功能，省去了单独的直流控制电源。

六、磁控电抗器结构设计

采用磁路并联漏磁自屏蔽磁路和自藕式直流助磁电路的设计技术，铁芯采用磁密不饱和的对称分裂结构，绕组采用上下并联左右对称结构。应用大型变压器的结构技术，高压电流互感器（CT）、电压互感器（PT）、电容式电压互感器（CVT）的绝缘技术，通过多年研发创立的新技术，真正实现了磁控电抗器的产品化；与磁阀式可控电抗技术比较，真正达到了损耗小、噪音低，接近于低损耗电力变压器水平；结构合理，生产工艺成熟。可以批量生产；质量可靠，运行安全免维护，成本低。铁芯不饱和设计，加上对称结构互相不干扰，铁芯损耗小，噪音低；伏安特性，近似直线（硅钢片磁化曲线的线性段）；本体基本上不产生谐波，控制回路产生的少量谐波，由于采用△接线，不向系统输出；主要的漏磁通在铁芯内得到有效屏蔽，线圈和油箱中的漏磁通小，附加损耗小，总损耗小；按照容量大小，是磁阀式可控电抗器或 SVC 中相控电抗器（TCR）的 50％以下；方便安装，占地面积小，基本上不需要维护；电抗器容量调节范围大：1％~100％。